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晶体管
A2V09H300-04NR3参考图片

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A2V09H300-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250
¥718.9173
179729.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA, 1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.7 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4L-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935320809528
单位重量
3.097 g
商品其它信息
优势价格，A2V09H300-04NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT3006LFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:26319
ASMA203
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥816.425
10:¥749.19
25:¥672.35
50:¥595.51
参考库存:26324
IRFSL3107PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
500:¥19.1309
参考库存:10921
MCH5541-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 0.7A 30V
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:26331
DMN1023UCB4-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.842
10:¥2.9267
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
参考库存:26336

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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