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晶体管
NTJD4105CT1G参考图片

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NTJD4105CT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.88366
883.66
3,000
¥0.75258
2257.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V, 8 V
Id-连续漏极电流
630 mA, - 775 mA
Rds On-漏源导通电阻
375 mOhms, 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V, - 1.8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC, 2.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.55 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD4105C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2 S, 2 S
下降时间
506 ns, 36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
227 ns, 23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
786 ns, 50 ns
典型接通延迟时间
83 ns, 13 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,NTJD4105CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
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3,000:¥0.83733
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20,000:¥0.62263
参考库存:44530
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50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
晶体管
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4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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