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晶体管
SIR640ADP-T1-GE3参考图片

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SIR640ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:61,171(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5995
1259.95
500
¥9.9101
4955.05
1,000
¥8.2942
8294.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR640ADP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
2,500:¥4.4748
10,000:查看
参考库存:16700
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1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6275
1,000:¥6.3167
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晶体管
MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.2999
参考库存:19194
晶体管
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1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
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晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:5443
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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