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晶体管
IPD06P004NATMA1参考图片

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IPD06P004NATMA1

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库存:43,497(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.6725
9181.25
10,000
¥3.5369
35369
25,000
¥3.4239
85597.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
16.4 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD06P004N
商品其它信息
优势价格,IPD06P004NATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 65V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:152467
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:3589
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
参考库存:8486
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.5258
参考库存:5028
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 45V
1:¥1.3786
10:¥1.2091
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:49270
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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