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晶体管
SIHH21N65EF-T1-GE3参考图片

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SIHH21N65EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存:50,711(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7145
52.7145
10
¥43.6406
436.406
100
¥35.9566
3595.66
250
¥34.804
8701
3,000
¥25.0521
75156.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.3 A
Rds On-漏源导通电阻
148 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格,SIHH21N65EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN+NPN 0.6A 15V
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
5,000:¥0.59212
参考库存:24854
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥256.6456
5:¥246.5773
10:¥237.3565
25:¥218.0674
参考库存:24859
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥43.5728
10:¥37.0414
100:¥32.0468
250:¥30.4309
500:¥27.2782
1,000:¥23.052
参考库存:9456
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:16958
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.4578
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,000:¥1.1526
参考库存:24868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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