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晶体管
FQA11N90C-F109参考图片

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FQA11N90C-F109

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库存：7,818(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.1936
30.1936
10
¥25.6623
256.623
100
¥22.2836
2228.36
250
¥21.131
5282.75
500
¥18.984
9492
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA11N90C_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
60 ns
零件号别名
FQA11N90C_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FQA11N90C-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVTFS6H850NTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
1,500:¥3.0397
9,000:查看
参考库存:4035
FS30R06VE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥159.9063
5:¥158.2113
10:¥147.4537
25:¥140.8432
参考库存:3862
NGB8202ANT4G
Littelfuse
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.7348
800:¥6.3958
参考库存:7559
SI3900DV-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN
1:¥7.8422
10:¥6.4749
100:¥4.9607
500:¥4.2714
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:86981
MMBT3906-HF
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor I=-200mA
1:¥1.4577
10:¥1.2317
100:¥0.47686
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:21718

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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