DDTA114TE-7-F详细参数_参考价格_DDTA114TE-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-523-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTA114
封装	Reel
高度	0.75 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	2 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVTFS4824NTWG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM	1:¥8.2942 10:¥7.119 100:¥5.4692 500:¥4.8364 5,000:¥3.39 10,000:查看	参考库存:28617
NVMFS6B75NLT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0	1,500:¥4.0454 9,000:¥3.8985 24,000:¥3.7742	参考库存:28622
SI4943BDY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V	1:¥15.9782 10:¥13.2888 100:¥10.2943 500:¥8.9948 2,500:¥6.9495 5,000:查看	参考库存:28627
DTA123TET1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR	1:¥1.1526 10:¥1.11418 100:¥0.39211 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:28632
BSZ100N06NSATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV POWER MOS	1:¥6.6105 10:¥5.5144 100:¥3.5595 1,000:¥2.8476 5,000:¥2.4069	参考库存:33229