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晶体管
CSD19532KTT参考图片

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CSD19532KTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD19532Q5B Pkg spin
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库存:12,106(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19532KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
113 S
下降时间
2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,CSD19532KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:13423
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
800:¥7.3337
参考库存:6595
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
800:¥8.9948
参考库存:8262
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:33644
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:30356
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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