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晶体管
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NDS356AP

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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.02943
3088.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NDS356AP
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
NDS356AP_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,NDS356AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:297751
晶体管
MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:128983
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7741
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1639
参考库存:44970
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:41042
晶体管
MOSFET N-Ch, 400V-0.85ohms 5.4A
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥7.0625
参考库存:8474
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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