MG1250W-XBN2MM详细参数_参考价格_MG1250W-XBN2MM PDF资料_Littelfuse

晶体管

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60	¥888.1913	53291.478

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Littelfuse
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Modules
配置	3-Phase Converter Brake Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	1.9 V
在25 C的连续集电极电流	75 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA
Pd-功率耗散	260 W
封装 / 箱体	Package W
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Bulk
系列	MG1250W-XBN2MM
商标	Littelfuse
安装风格	Chassis Mount
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	60
子类别	IGBTs
单位重量	300 g

商品其它信息

优势价格，MG1250W-XBN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSZ036NE2LS	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS	1:¥6.3054 10:¥5.3788 100:¥4.1358 500:¥3.6612 5,000:¥2.5538 10,000:查看	参考库存:33119
LSIC1MO120E0080	Littelfuse	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET	1:¥152.1432 10:¥138.312 25:¥127.9386 50:¥121.4072	参考库存:7881
APT4M120K	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS8	1:¥33.5045 10:¥26.9731 100:¥24.5097 250:¥22.1254	参考库存:22283
BSS670S2LH6433XTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH	1:¥2.7685 10:¥1.808 100:¥0.77631 1,000:¥0.5989 10,000:¥0.40002 20,000:查看	参考库存:49785
CSD88539ND	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET	1:¥6.6105 10:¥5.6048 100:¥4.3166 500:¥3.8081 2,500:¥2.6781 10,000:查看	参考库存:139912