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晶体管
2SB1189T100Q参考图片

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2SB1189T100Q

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 0.7A
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4.1471
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¥3.39
33.9
100
¥2.0679
206.79
1,000
¥1.5933
1593.3
2,000
¥1.356
2712
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
- 0.7 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1189
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 100 mA, 3 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 0.7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,2SB1189T100Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥3.9324
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1,000:¥1.01474
30,000:¥0.66105
48,000:查看
参考库存:34549
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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