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晶体管
2SB1189T100R参考图片

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2SB1189T100R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 0.7A
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.39
33.9
100
¥2.0679
206.79
1,000
¥1.5933
1593.3
2,000
¥1.356
2712
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MPT-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.2 V
最大直流电集电极电流
0.7 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1189
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 0.7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SB1189T100R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
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1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32996
参考库存:90070
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:13842
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 1kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:31009
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:2711
  • 海量现货

    50万现货SKU

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