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晶体管
NTDV20P06LT4G参考图片

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NTDV20P06LT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET 60V 15.5A 130R
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库存:15,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2489
62.489
100
¥4.8025
480.25
500
¥4.2375
2118.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
15.5 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
系列
NTD20P06L
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
NTDV20P06LT4G-VF01
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,NTDV20P06LT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥35.5724
10:¥31.8095
100:¥26.2838
250:¥23.1311
参考库存:11886
晶体管
MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥4.1923
2,500:¥2.9606
5,000:查看
参考库存:51839
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA
1:¥28.815
10:¥24.5097
100:¥21.2101
250:¥20.1366
1,000:¥15.2889
2,000:查看
参考库存:51844
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,466.2654
参考库存:51849
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC
800:¥5.8534
参考库存:51854
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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