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晶体管
IRF3205STRRPBF参考图片

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IRF3205STRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC
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数量单价合计
800
¥5.8534
4682.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
97.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
101 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001564448
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF3205STRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.0736
10:¥1.5142
100:¥1.03734
500:¥0.85315
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:29730
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.47686
24,000:¥0.44522
45,000:¥0.3842
参考库存:34197
晶体管
MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET
1:¥6.0681
10:¥5.0737
100:¥3.2431
250:¥3.2431
1,000:¥2.599
参考库存:6977
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:23834
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 150MA 8V FT=16G
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:43441
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    50万现货SKU

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