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晶体管
IPA60R190C6参考图片

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IPA60R190C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
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库存:10,088(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥18.2156
182.156
100
¥15.8313
1583.13
250
¥14.9838
3745.95
500
¥13.447
6723.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
类型
600 V CoolMOS C6 Power Transistor
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPA60R190C6XKSA1 IPA6R19C6XK SP000621152
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA60R190C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:39755
晶体管
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1:¥6.0681
10:¥5.0285
100:¥3.2431
1,000:¥2.599
3,000:¥2.1922
参考库存:39760
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
75:¥567.8476
100:¥554.6266
参考库存:39765
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥141.3065
10:¥128.481
25:¥118.7969
50:¥112.3446
参考库存:39770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V, .1A
1:¥2.9945
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.41471
参考库存:39775
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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