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晶体管
BC848CWH6327XTSA1参考图片

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BC848CWH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC848
直流电流增益 hFE 最大值
800
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
420
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
848CW BC BC848CWH6327XT H6327 SP000747412
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BC848CWH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:23114
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:5711
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC846B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:23121
晶体管
MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:23126
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 15A
1,500:¥8.5315
4,500:¥8.2264
9,000:¥7.91
参考库存:23131
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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