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晶体管
D3S280N65B-U参考图片

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D3S280N65B-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 280 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
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数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
99 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，D3S280N65B-U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RSJ400N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Low Power MCU; LCD 5x29, 16Kbyte ROM, TQFP100
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:37816
BCW32T116
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
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参考库存:37821
NVMFS5844NLWFT3G
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5,000:¥3.4578
10,000:¥3.3222
25,000:¥3.2318
参考库存:37826
R6046ANZ1C9
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥121.3281
10:¥111.5762
25:¥106.8867
100:¥94.2081
450:¥83.8347
900:查看
参考库存:37831
2SB1216S-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 4A 100V
暂无价格
参考库存:37836

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