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晶体管
DMT3020LFDB-7参考图片

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DMT3020LFDB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
3,000
¥1.5368
4610.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms, 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC, 7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.9 ns, 1.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns, 7.5 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns, 1.8 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
优势价格，DMT3020LFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QSX6TR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR 30V 1.5A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:34796
FS450R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A IGBT4
1:¥4,267.4676
5:¥4,010.2796
参考库存:34801
IPP80N06S208AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:34806
MQ2N2609
Microsemi
晶体管
JFET
1:¥680.8024
2:¥659.6714
5:¥659.4454
10:¥638.2353
参考库存:34811
SGH30N60RUFDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
1:¥32.883
10:¥27.8884
100:¥24.2046
250:¥22.9729
参考库存:34816

  • 海量现货

    50万现货SKU

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