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晶体管
ZDX080N50参考图片

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ZDX080N50

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:34,295(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7687
676.87
500
¥5.989
2994.5
1,000
¥4.7234
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.8 mm
长度
15.4 mm
产品
MOSFET
系列
ZDX080N50
晶体管类型
1 N-channel
类型
Power MOSFET
宽度
10.3 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
38 ns
零件号别名
ZDX080N50
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,ZDX080N50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥44.9514
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25:¥35.4255
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3,000:¥1.07576
参考库存:22798
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1:¥354.1533
5:¥343.4748
10:¥333.4065
25:¥312.5806
参考库存:22803
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3,000:¥0.99101
9,000:¥0.92208
参考库存:92400
晶体管
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1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥12.2944
500:¥11.526
1,000:¥10.5316
3,000:¥9.5259
参考库存:17402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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