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晶体管
DMNH10H028SK3Q-13参考图片

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DMNH10H028SK3Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
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数量单价合计
1
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10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5371
3768.55
1,000
¥6.2376
6237.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMNH10H028
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.8 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥4.5313
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10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
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1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
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参考库存:19597
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1:¥129.6336
5:¥124.639
10:¥119.9495
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参考库存:1510
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10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:16942
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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