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晶体管
DMG8N65SCT参考图片

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DMG8N65SCT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
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库存:3,025(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8139
681.39
500
¥6.0229
3011.45
1,000
¥4.7573
4757.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
52 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
115 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,DMG8N65SCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
1:¥65.8564
10:¥59.2459
25:¥54.014
50:¥50.3302
参考库存:1349
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.5935
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:15136
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:4558
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:3635
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4752
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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