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产品分类

晶体管
SQD50N04-5M6_T4GE3参考图片

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SQD50N04-5M6_T4GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
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库存:33,637(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥11.526
115.26
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.2094
3604.7
2,500
¥5.1415
12853.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,SQD50N04-5M6_T4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥30.736
10:¥25.4363
100:¥20.9728
250:¥20.2835
3,000:¥20.2835
参考库存:37418
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥14.0572
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
2,000:¥6.102
4,000:查看
参考库存:15605
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
4,800:¥4.7573
9,600:查看
参考库存:98577
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:12424
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:17066
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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