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晶体管
SQD100N03-3M4_GE3参考图片

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SQD100N03-3M4_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
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库存:13,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
2,000
¥5.4466
10893.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
108 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQD100N03-3M4_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
参考库存:50939
晶体管
达林顿晶体管 High Volt Darlington 7Drivers 500mA 250ns
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:10931
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 80V 75W PNP
1:¥6.6896
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
参考库存:5283
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥92.8182
10:¥84.3658
25:¥77.9926
50:¥73.7664
参考库存:1855
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:7967
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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