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晶体管
SI3440DV-T1-E3参考图片

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SI3440DV-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
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库存：47,170(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4806
748.06
500
¥6.4297
3214.85
3,000
¥6.4297
19289.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
375 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.1 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI3440DV-E3
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，SI3440DV-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FB20R06W1E3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
24:¥232.9043
48:¥222.4518
120:¥198.8574
264:¥189.6366
参考库存:44907
NVTFS6H860NTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1,500:¥6.7235
4,500:¥6.4749
9,000:¥6.2263
参考库存:21215
DDTD133HU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 3.3K 10K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:44914
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
2,000:¥6.7461
4,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:44919
TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
2,000:¥4.2149
10,000:¥4.0567
参考库存:44924

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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