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晶体管
SIHG73N60E-E3参考图片

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SIHG73N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:47,654(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥97.0444
97.0444
10
¥88.2078
882.078
25
¥81.6086
2040.215
50
¥77.1451
3857.255
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
241 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
290 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG73N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
2,500:¥6.7574
参考库存:13591
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:11393
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
2,000:¥0.78422
参考库存:43370
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.4071
1,000:¥5.0624
3,000:¥4.7234
参考库存:1542
晶体管
MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥7.0512
1,000:¥5.5709
参考库存:2014
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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