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晶体管
IRFB4227PBF参考图片

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IRFB4227PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
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数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥16.1364
1613.64
250
¥15.2889
3822.225
500
¥13.673
6836.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
65 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
49 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
SP001565892
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB4227PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥4.6104
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100:¥2.5764
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6,000:查看
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1:¥3.5369
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1:¥25.199
10:¥22.5096
100:¥20.5208
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1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0114
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1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.8871
参考库存:37663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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