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晶体管
PTVA035002EV-V1-R250参考图片

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PTVA035002EV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:47,649(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥2,586.3553
646588.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
500 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
390 MHz to 450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA035002EV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:4255
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
2,500:¥0.40002
8,000:¥0.34578
参考库存:120752
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,500:¥7.6727
4,500:查看
参考库存:13789
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
2,500:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:27622
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥39.7986
10:¥33.8887
100:¥29.3574
250:¥27.8206
500:¥24.973
参考库存:9876
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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