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晶体管
BC 858A E6327参考图片

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BC 858A E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
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库存:8,361(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.4012
14.012
100
¥0.49946
49.946
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.25312
759.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
650 mV
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC858
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
0.1 A
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC858AE6327HTSA1 BC858AE6327XT SP000010636
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BC 858A E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
1,000:¥11.3678
2,000:查看
参考库存:41751
晶体管
MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
1:¥3.616
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:17050
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:4192
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:41760
晶体管
MOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
1:¥25.8996
10:¥21.9785
100:¥19.0518
250:¥18.0574
参考库存:14014
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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