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晶体管
IMT18T110参考图片

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IMT18T110

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
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库存:17,403(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
260 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 10 mA, 2 V
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
IMT18
商品其它信息
优势价格,IMT18T110的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W TO-3P PNP
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
参考库存:5599
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:72581
晶体管
MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
5,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:51343
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
1:¥4.5313
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
2,500:¥1.921
参考库存:16810
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 100MA 65V
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:2097547
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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