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产品分类

晶体管
IPD200N15N3GATMA1参考图片

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IPD200N15N3GATMA1

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数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
2,500
¥8.4524
21131
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
G IPD200N15N3 SP001127820
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD200N15N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Power
1:¥11.3678
10:¥10.1474
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晶体管
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1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:45890
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
1,000:¥12.9046
2,000:查看
参考库存:2362
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:12574
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual - NPN/PNP Switching
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8871
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:9361
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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