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晶体管
2DB1713-13参考图片

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2DB1713-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VSAT PNP SMT 2.5K
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3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 250 mV
最大直流电集电极电流
- 6 A
增益带宽产品fT
180 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB17
直流电流增益 hFE 最大值
270
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,2DB1713-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:3070
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:31962
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥11.6051
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:3164
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:2001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 65V 100mA HFE/450
1:¥1.921
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:80973
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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