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晶体管
STW27N60M2-EP参考图片

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STW27N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:5,379(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.6517
39.6517
10
¥33.6514
336.514
100
¥29.1992
2919.92
250
¥27.6624
6915.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
163 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW27N60M2-EP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.6 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
商品其它信息
优势价格,STW27N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
3,000:¥12.5204
6,000:查看
参考库存:16992
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.0001
10:¥1.3899
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.31527
参考库存:31294
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:14396
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
参考库存:47573
晶体管
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:15478
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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