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晶体管
AUIRFZ34N参考图片

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AUIRFZ34N

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms
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库存:3,774(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0173
3508.65
1,000
¥5.537
5537
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.7 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP001521138
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,AUIRFZ34N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
1:¥19.21
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:3910
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9492
晶体管
MOSFET 60V N-CH MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3504
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:14819
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.07576
10:¥0.97632
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:148001
晶体管
达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3335
1,000:¥2.6781
参考库存:8948
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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