BCR 183 E6433详细参数_参考价格_BCR 183 E6433 PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR183
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR183E6433HTMA1 BCR183E6433XT SP000010796
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSM4ND60CI RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V 4A Single N-Chan Pwr MOSFET	4,000:¥3.8759 6,000:¥3.6838 10,000:¥3.5934 26,000:¥3.5143	参考库存:49713
APTGLQ600A65T6G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	100:¥1,526.2006	参考库存:49718
PTFB193404F-V1-R0	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,281.0019	参考库存:49723
TSM4ND60CI C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V 4A Single NChnl Power MOSFET	4,000:¥3.6838 10,000:¥3.5934 24,000:¥3.5143	参考库存:49728
NVMFS5C673NLAFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRENCH 6 60V NFET	5,000:¥2.3165 10,000:¥2.2261 25,000:¥2.147	参考库存:29782