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晶体管
IPB009N03LGATMA1参考图片

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IPB009N03LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
1,000
¥13.447
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
227 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
G IPB009N03L IPB9N3LGXT SP000394657
商品其它信息
优势价格,IPB009N03LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥170.8899
250:¥156.8327
500:¥149.2956
参考库存:36020
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥17.7523
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:12740
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥150.9115
250:¥138.538
500:¥131.8597
参考库存:36027
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥42.8044
100:¥40.8043
250:¥35.6515
500:¥34.6571
参考库存:36032
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥112.1864
250:¥102.4232
500:¥92.208
1,000:¥85.5184
参考库存:36037
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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