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晶体管
SMBTA 14 E6327参考图片

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SMBTA 14 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.60681
1820.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
最大直流电集电极电流
0.3 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
最大工作温度
+ 150 C
系列
SMBTA14
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
直流集电极/Base Gain hfe Min
10000, 20000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
SMBTA14E6327HTSA1 SMBTA14E6327XT SP000010872
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SMBTA 14 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:53824
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥676.192
5:¥663.7394
10:¥633.8509
25:¥612.7199
参考库存:1306
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:12793
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:46735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥168.822
5:¥161.2058
10:¥156.2112
25:¥143.5326
参考库存:2155
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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