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晶体管
MRFE6VP6300-88参考图片

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MRFE6VP6300-88

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-88
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数量单价合计
1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.5 dB
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935372357598
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300-88的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:35494
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.60V
1:¥38.194
10:¥34.1938
25:¥30.736
50:¥29.9676
参考库存:35499
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:35504
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 1A
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05994
参考库存:35509
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:35514
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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