您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGW60V60DF参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGW60V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:6,246(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥41.0303
410.303
100
¥35.5724
3557.24
250
¥33.7305
8432.625
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW60V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
2,500:¥6.7574
参考库存:13591
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:11393
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
2,000:¥0.78422
参考库存:43370
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.4071
1,000:¥5.0624
3,000:¥4.7234
参考库存:1542
晶体管
MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥7.0512
1,000:¥5.5709
参考库存:2014
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们