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晶体管
SI7900AEDN-T1-GE3参考图片

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SI7900AEDN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.2433
724.33
500
¥5.6161
2808.05
3,000
¥4.0228
12068.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.6 ns
典型接通延迟时间
0.85 ns
零件号别名
SI7900AEDN-GE3
商品其它信息
优势价格,SI7900AEDN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥5.1528
10:¥3.9776
100:¥3.4917
500:¥3.1188
3,000:¥1.6837
9,000:查看
参考库存:17327
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 45V 25W PNP
1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.486
1,000:¥1.9323
参考库存:7709
晶体管
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
1:¥20.8259
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:5471
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 0.5A 50V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:19453
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.1471
10:¥2.3391
100:¥1.2882
500:¥1.03734
3,000:¥0.63054
9,000:查看
参考库存:54875
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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