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晶体管
IRGP4069DPBF参考图片

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IRGP4069DPBF

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库存:6,902(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥59.777
59.777
10
¥54.014
540.14
25
¥51.5619
1289.0475
100
¥44.7254
4472.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
76 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535800
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4069DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
100:¥508.9068
参考库存:47525
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 425 V 4 A
5,000:¥2.0792
10,000:¥2.0001
25,000:¥1.921
参考库存:47530
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
21,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
99,000:¥0.16159
参考库存:47535
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:10643
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:47542
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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