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晶体管
IRF640NSTRRPBF参考图片

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IRF640NSTRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
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数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.1303
713.03
500
¥6.3054
3152.7
800
¥4.972
3977.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP001561802
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRF640NSTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG564010R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor w/ Built n Resistor
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.808
500:¥1.6159
3,000:¥1.01474
9,000:查看
参考库存:18671
RN4986FE,LF(CT
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1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
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FQP6N40C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2715
500:¥5.5483
1,000:¥4.3844
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2SAR523MT2L
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
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2N3905
Central Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥4.3053
10:¥3.6612
100:¥2.2939
1,000:¥1.7176
2,500:¥1.469
参考库存:35039

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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