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晶体管
IPL60R299CP参考图片

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IPL60R299CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP
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库存：7,611(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥14.9047
1490.47
500
¥12.9837
6491.85
3,000
¥10.0683
30204.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11.1 A
Rds On-漏源导通电阻
299 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
8 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPL60R299CPAUMA1 IPL6R299CPXT SP000841896
单位重量
187.720 mg
商品其它信息
优势价格，IPL60R299CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DCP55-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:20444
RCD051N20TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
2,500:¥1.5933
10,000:¥1.4916
25,000:¥1.4125
50,000:¥1.3786
参考库存:52897
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥491.3918
参考库存:52902
2N3821
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥180.80
250:¥166.1326
500:¥152.9907
参考库存:52907
PTVA127002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥7,143.2046
参考库存:52912

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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