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晶体管
2SB1203S-H参考图片

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2SB1203S-H

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
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库存:5,964(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.0907
60.907
100
¥4.6782
467.82
500
¥4.1358
2067.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
220 mV, - 280 mV
最大直流电集电极电流
8 A, - 8 A
增益带宽产品fT
180 MHz, 130 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1203
封装
Bulk
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,2SB1203S-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.181
参考库存:17032
晶体管
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:7084
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥21.9785
10:¥17.6732
100:查看
参考库存:4806
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4788
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,500:¥10.3734
参考库存:50115
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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