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晶体管
ZXMN6A07FQTA参考图片

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ZXMN6A07FQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
806 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
2.3 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.9 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN6A07FQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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    50万现货SKU

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