| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET
PDF数据手册
|
1:¥348.4694
50:¥348.4694
|
参考库存:3113
|
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 ZRecTM 16A 650V SiC
PDF数据手册
|
1:¥62.4664
100:¥52.0252
500:¥44.5672
1,000:¥39.0302
|
参考库存:19479
|
|
|
|
|
|
MOSFET 900V 65mOhms G3 SiC MOSFET
PDF数据手册
|
1:¥88.4451
|
参考库存:3239
|
|
|
|
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
PDF数据手册
|
1:¥1,695.4746
|
参考库存:1670
|
|
|
|
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
PDF数据手册
|
1:¥5,780.2099
|
参考库存:1611
|
|
|
|
|
|
分立半导体模块 Half-Bridge Module 1.2kV, 325A Hi-Perf
PDF数据手册
|
1:¥10,565.50
|
参考库存:1699
|
|
|
|
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
PDF数据手册
|
1:¥354.4584
250:¥354.4584
|
参考库存:2391
|
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
PDF数据手册
|
2,500:¥26.9731
|
参考库存:43972
|
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode 3A, 650V
PDF数据手册
|
1:¥11.8311
100:¥9.831
500:¥8.3733
1,000:¥7.3789
|
参考库存:22649
|
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 8A
PDF数据手册
|
800:¥18.5207
2,400:¥18.5207
|
参考库存:41894
|
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 2A, 650V
PDF数据手册
|
2,500:¥4.8364
|
参考库存:41419
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
PDF数据手册
|
1:¥1,281.0019
50:¥1,281.0019
|
参考库存:39259
|
|
|
|
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
PDF数据手册
|
1:¥6,627.45
|
参考库存:7816
|
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 20A 1200V SiC Schottky Diode
PDF数据手册
|
1:¥172.89
100:¥144.075
500:¥123.4864
|
参考库存:12733
|
|
|
|
|
|
MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
PDF数据手册
|
1:¥266.4088
100:¥256.1032
|
参考库存:6054
|
|
|
|
|
|
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
PDF数据手册
|
1:¥14.9047
100:¥12.4526
500:¥10.6785
1,000:¥9.2999
2,500:¥9.2999
|
参考库存:13953
|
|
|
|
|
|
分立半导体模块 1200V, 20A, SiC Six pack Module
PDF数据手册
|
1:¥1,521.432
|
参考库存:1442
|
|
|
|
|
|
MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET
PDF数据手册
|
1:¥30.6569
|
参考库存:7495
|
|
|
|
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
PDF数据手册
|
1:¥404.1784
250:¥404.1784
|
参考库存:7392
|
|
|
|
|
|
MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
PDF数据手册
|
1:¥55.6299
|
参考库存:7069
|
|