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分立半导体
E3M0120090D参考图片

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E3M0120090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
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¥55.6299
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
17.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
97 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
7.7 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
27 ns
商品其它信息
优势价格,E3M0120090D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3334
参考库存:27218
分立半导体
整流器 Hypfst Rect 2A 100V AEC-Q101 Qualified
1:¥3.3787
10:¥2.2939
100:¥1.5481
500:¥1.243
10,000:¥0.75258
参考库存:43725
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.8984
500:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.2091
参考库存:127107
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V Power Schottky Silicon Carbide Diode
1:¥59.777
10:¥54.014
25:¥51.4828
100:¥44.7254
参考库存:5534
分立半导体
IGBT 晶体管 650V FS3 Trench IGBT
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:5981
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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