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无线和射频半导体
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QPD3601

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
60.9 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
3.4 GHz to 3.6 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V
零件号别名
1130556
商品其它信息
优势价格，QPD3601的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥623.3306
参考库存:41861

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    50万现货SKU

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