HMC740ST89E详细参数_参考价格_HMC740ST89E PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-4
类型	Gain Block Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	3 GHz
P1dB - 压缩点	18 dBm
增益	15 dB
工作电源电压	5 V
OIP3 - 三阶截点	40 dBm
工作电源电流	88 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC740
封装	Cut Tape
频率范围	0.05 GHz to 3 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	18 dB
Pd-功率耗散	0.66 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	106 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TH72032KDC-BAA-000-TU	Melexis	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 868/915MHz ASK Transmitter	1:¥18.3625 10:¥14.7578 100:¥11.8311 500:¥10.3734	参考库存:23838
AD6674-750EBZ	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B EB	1:¥7,429.7387 5:¥7,326.92	参考库存:23843
HMC-APH196	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 17 - 30 GHz	25:¥627.7037 100:¥592.0522	参考库存:23848
MRFE6VP6600NR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	250:¥642.3033	参考库存:23853
HMC525ALC4TR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 Mixer	1:¥288.3082 5:¥280.1609 10:¥269.0191 25:¥249.6509 100:¥233.5936	参考库存:23858