HMC356LP3TR详细参数_参考价格_HMC356LP3TR PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	否
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	350 MHz to 550 MHz
P1dB - 压缩点	21 dBm
增益	17 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	1 dB
OIP3 - 三阶截点	38 dBm
工作电源电流	104 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC356
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	17 dB
Pd-功率耗散	0.91 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	57.100 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SMA180	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 10-500MHz NF 3.4dB Gain 16.5dB	10:¥1,418.1613	参考库存:37068
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MAX2171ETL+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	调谐器 Direct-Conversion to Low-IF Tuner	2,500:¥39.6517	参考库存:37083
EZR32WG230F64R69G-B0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 64 kB M4, +13/+20 dBm Pro2+ ,QFN64 wireless MCU	260:¥38.1149 520:¥36.0357 1,040:¥35.4255	参考库存:37088