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无线和射频半导体
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AFT09MS031NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V
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¥91.5978
2289.945
100
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8068.2
500
¥71.7663
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
18.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
764 MHz to 941 MHz
系列
AFT09MS031N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
零件号别名
935314747528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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